Torna a Diodes Incorporated

Diodes Incorporated Transistori DXTN69060C a 60 V NPN a VCE(SAT) ultra basso

Il transitore DXTN69060C NPN da 60 V a bassissima VCE(SAT) di Diodes Incorporated presenta una struttura proprietaria per ottenere prestazioni VCE(SAT) ultra-basse e temperature operative inferiori, riducendo al minimo le esigenze di gestione termica e migliorando l'affidabilità nel lungo termine. Le specifiche del DXTN69060C di Diodes Incorporated includono una tensione di rottura (BVCEO) superiore a 60 V, una corrente continua del collettore di 5,5 A e una bassa tensione di saturazione inferiore a 45 mV a 1 A. Con una corrente elevata RCE(sat) tipica a 24 mΩ, caratterizzazione hFE fino a 6 A, dissipazione di potenza di 2 W e commutazione rapida con tempi di accumulo ridotti, questo transistor è progettato per garantire prestazioni efficienti e affidabili in applicazioni ad alta potenza.

Caratteristiche

  • BVCEO > 60 V
  • Corrente collettore continua 5,5 A
  • Bassa tensione di saturazione VCE(sat) < 45="" mv="" a="" 1="">
  • Alta corrente RCE(sat) Tip = 24 mΩ
  • hFE caratterizzato fino a 6 A
  • Dissipazione di potenza di 2 W
  • Commutazione rapida con breve tempo di conservazione
  • Stagnatura dei fianchi per fianchi bagnabili in AOI
  • Completamente privo di piombo e conforme a RoHS
  • Privo di alogeni e antimonio

Applicazioni

  • Convertitori CC-CC di media potenza
  • Interruttori ad alta/bassa tensione
  • Regolazione di tensione lineare
Pubblicato: 2024-11-05 | Aggiornato: 2024-11-14