Transistori DXTN69060C a 60 V NPN a VCE(SAT) ultra basso
Il transitore DXTN69060C NPN da 60 V a bassissima VCE(SAT) di Diodes Incorporated presenta una struttura proprietaria per ottenere prestazioni VCE(SAT) ultra-basse e temperature operative inferiori, riducendo al minimo le esigenze di gestione termica e migliorando l'affidabilità nel lungo termine. Le specifiche del DXTN69060C di Diodes Incorporated includono una tensione di rottura (BVCEO) superiore a 60 V, una corrente continua del collettore di 5,5 A e una bassa tensione di saturazione inferiore a 45 mV a 1 A. Con una corrente elevata RCE(sat) tipica a 24 mΩ, caratterizzazione hFE fino a 6 A, dissipazione di potenza di 2 W e commutazione rapida con tempi di accumulo ridotti, questo transistor è progettato per garantire prestazioni efficienti e affidabili in applicazioni ad alta potenza.
