IXYS MOSFET di potenza classe X2 con HiPerFET™

I MOSFET di potenza IXYS Classe X2 con HiPerFET™ sono progettati per applicazioni di commutazione di potenza ad alta efficienza e ad alta velocità. I MOSFET Ultra-Junction X2-Class offrono una bassa carica di gate e un'eccellente robustezza con un diodo intrinseco veloce. Questi MOSFET sono disponibili in molti pacchetti industriali standard, compresi i tipi isolati. Le applicazioni tipiche sono gli alimentatori a commutazione e a risonanza, i convertitori DC-DC, i circuiti PFC, gli azionamenti di motori AC e DC, la robotica e i servocontrolli.

I MOSFET di classe X2 sono caratterizzati da una bassa resistenza allo stato ON, da una bassa carica di gate e da prestazioni dv/dt superiori. Questi MOSFET sono stati sviluppati utilizzando il principio della compensazione della carica e una tecnologia di processo proprietaria. I MOSFET di classe X2 sono dotati di un diodo di corpo a recupero morbido e veloce che riduce le perdite di commutazione e le interferenze elettromagnetiche (EMI).

Caratteristiche

  • Resistenza di accensione ultra bassa RDS(ON) e carica di gate Qg
  • Diodo Fast body 
  • Robustezza Dv/dt
  • Alta efficienza
  • Avalanche-rated
  • Bassa induttanza del package 
  • Package standard internazionali
  • Facile da montare
  • Risparmio di spazio

Applicazioni

  • Alimentatori industriali a commutazione e a modalità risonante
  • Caricabatterie per veicoli elettrici
  • Azionamenti per motori AC and DC
  • Convertitori DC-DC
  • Inverter per energie rinnovabili
  • Circuiti di correzione del fattore di potenza (PFC)
  • Robotica e servocontrollo
Pubblicato: 2015-11-04 | Aggiornato: 2024-11-21