SGT3D5R10MEB
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Produttore:
Descrizione:
GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
Scheda dati
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290055
- ECCN:
- EAR99
- Paese di origine:
- Cina
- Paese di origine dell'assemblaggio:
- Non disponibile
- Paese di diffusione:
- Non disponibile
A magazzino: 320
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Prezzi (EUR)
| Qtà | Prezzo Unitario |
Prezzo esteso
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|---|---|---|
| Nastro tagliato / MouseReel™ | ||
| 3,47 € | 3,47 € | |
| 2,27 € | 22,70 € | |
| Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000) | ||
| 2,27 € | 6.810,00 € | |

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