Modulo NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST

Il modulo Q2BOOST NXH300B100H4Q2F2 Onsemi offre tre canali, una potenza di uscita più elevata e un facile montaggio del modulo. Ogni canale contiene due IGBT da 1.000 V, 100 A IGBT, due diodi SiC da 1.200 V, 30 A e due diodidi bypass 1.600 V, 30 A. Il modulo Q2BOOST offre un'eccellente efficienza e perdite termiche, con la flessibilità necessaria per supportare diversi processi di produzione.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto Configurazione Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione di saturazione collettore-emettitore Collettore a corrente continua a 25 °C Corrente di perdita gate-emettitore Pd - Dissipazione di potenza Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Tecnologia Confezione
onsemi NXH300B100H4Q2F2S1G
onsemi Moduli IGBT PIM 1500V 250KW Q2BOOST 36A magazzino
122,07 €
117,95 €
Min: 1
Mult.: 1
Si Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG
onsemi Moduli IGBT MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST 36A magazzino
125,01 €
121,31 €
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi Moduli IGBT MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST Tempo di consegna, se non a magazzino 21 settimane
SiC IGBT Modules Dual Common Source 1 kV 1.8 V 73 A 400 nA 194 W - 40 C + 150 C Si Tray