Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.

Risultati: 5
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tipo
Dimensioni memoria
Larghezza bus dati
Frequenza di clock massima
Package/involucro
Organizzazione
Tempo di accesso
Tensione di alimentazione - Min.
Tensione di alimentazione - Max.
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
Alliance Memory DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT
Scheda dati
32A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile 128 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 8 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C8M16MSA-6 Tray
Alliance Memory DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C16M16MSA-6 Reel
Alliance Memory DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT
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SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C16M16MSA-6 Tray
Alliance Memory DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT
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SDRAM Mobile 128 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 8 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C8M16MSA-6 Reel
Alliance Memory DRAM LPSDRAM, 256M, 8MX 32, 1.8V, 90 BALL, BGA, 8 X 32MM, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP, B DIE, T&R
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 8 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel