Memoria DDR5 basata su nodo DRAM 1γ

La memoria DDR5 basata su nodo DRAM 1γ diMicron è una memoria DDR5 basata su nodo DRAM di sesta generazione (classe 10 nm) con tecnologia 1γ (1-gamma), progettata per le CPU di prossima generazione. Questo componente offre prestazioni ed efficienza energetica superiori, basandosi sui precedenti nodi DRAM 1α (1-alpha) e 1β (1-beta) di Micron. La DRAM 1γ migliora le prestazioni per supportare la scalabilità delle risorse di calcolo su una vasta gamma di soluzioni di memoria, soddisfacendo le esigenze dei futuri carichi di lavoro di intelligenza artificiale. Il modulo offre inoltre un risparmio energetico grazie alla tecnologia CMOS high-K di nuova generazione con gate metallico e alle ottimizzazioni di progettazione. Questa combinazione offre una potenza inferiore del 20% circa, il che migliora i profili termici. La memoria DDR5 basata sul nodo DRAM Micron 1γ offre inoltre una produzione di bit per wafer > 30% rispetto alla generazione precedente. Le applicazioni adatte includono dispositivi mobili, data center, settore automotive, IA periferica e PC per l'IA.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tipo Dimensioni memoria Larghezza bus dati Frequenza di clock massima Package/involucro Organizzazione Tensione di alimentazione - Min. Tensione di alimentazione - Max. Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Confezione
Micron MT60B1G16HD-56B:D
Micron DRAM DDR5 16Gbit 16 102/153 VFBGA 1 CT
1.298A magazzino
389,09 €
Min: 1
Mult.: 1
SDRAM - DDR5 16 Gbit 16 bit 2.8 GHz VFBGA-102 1 G x 16 1.1 V 1.1 V 0 C + 95 C Tray
Micron MT60B2G8RZ-64B:D
Micron DRAM DDR5 16Gbit 8 78/117VFBGA 1 CT
1.306A magazzino
208,23 €
Min: 1
Mult.: 1
SDRAM - DDR5 16 Gbit 8 bit 3.2 GHz VFBGA-78 2 G x 8 1.1 V 1.1 V 0 C + 95 C Tray