Transistor bipolari di potenza in package DFN BJT

I transistor bipolari di potenza in package DFN BJT di Nexperia offrono un fattore di forma ridotto che utilizza circa il 75% in meno di spazio sulla scheda e consente una maggiore flessibilità di progettazione. Questi transistor bipolari presentano induttanza e capacità parassite ridotte con una resistenza termica migliorata e bassa, consentendo una maggiore affidabilità. I componenti BJT sono ideali per applicazioni in cui lo spazio è scarso. Le applicazioni includono dispositivi mobili, dispositivi indossabili, sensori automotive e moduli fotocamera.