MOSFET ad alte prestazioni serie E da 600-650 V Vishay Siliconix

I MOSFET ad alte prestazioni della serie E di Vishay Siliconix sono MOSFET di potenza a canale N da 500 V e 650 V con tecnologia Super Junction con una riduzione del 30% della resistenza in conduzione specifica rispetto ai MOSFET della serie S. Questa serie E di MOSFET ad alte prestazioni si caratterizza per la bassa resistenza in conduzione (RDS(on)), la bassa capacità di ingresso (Ciss), le perdite di commutazione capacitiva ridotte, la carica del gate ultrabassa (Qg), il basso costo, i circuiti di pilotaggio del gate semplificati, la bassa cifra di merito (FOM: RDS(on) x Qg) e la commutazione rapida. Le applicazioni tipiche includono alimentatori per server e telecomunicazioni, illuminazione, uso industriale, caricabatterie, energia rinnovabile e SMPS.
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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 10.5A N-CH MOSFET 1.495A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 10.5 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET 682A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V 3.734A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 29 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO252 800V 8A N-CH MOSFET 4.768A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET 175A magazzino
2.00031/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-4 N-Channel 1 Channel 800 V 21 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 800V 8A N-CH MOSFET 1.038A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 23A N-CH MOSFET 40A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 95 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET 277A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.4 A 820 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 26A N-CH MOSFET
4.00012/03/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 650V Non disponibile a magazzino
Min: 800
Mult.: 800
Si

Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 650V Non disponibile a magazzino
Min: 500
Mult.: 500
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 600V Non disponibile a magazzino
Min: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V Non disponibile a magazzino
Min: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 32A N-CH MOSFET Non disponibile a magazzino
Min: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel