MOSFET ad alte prestazioni serie E da 600-650 V Vishay Siliconix

I MOSFET ad alte prestazioni della serie E di Vishay Siliconix sono MOSFET di potenza a canale N da 500 V e 650 V con tecnologia Super Junction con una riduzione del 30% della resistenza in conduzione specifica rispetto ai MOSFET della serie S. Questa serie E di MOSFET ad alte prestazioni si caratterizza per la bassa resistenza in conduzione (R_DS(on)), la bassa capacità di ingresso (C_iss), le perdite di commutazione capacitiva ridotte, la carica del gate ultrabassa (Q_g), il basso costo, i circuiti di pilotaggio del gate semplificati, la bassa cifra di merito (FOM: R_DS(on) x Q_g) e la commutazione rapida. Le applicazioni tipiche includono alimentatori per server e telecomunicazioni, illuminazione, uso industriale, caricabatterie, energia rinnovabile e SMPS.
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