MOSFET di potenza HiperFET™ di classe Q3

IXYSI MOSFET di potenza HiperFET™ della classe Q3 di IXYS offrono all'utente finale un'ampia gamma di dispositivi con eccezionali prestazioni di commutazione di potenza. Offrono inoltre eccellenti caratteristiche termiche, una maggiore robustezza del dispositivo e un'elevata efficienza energetica. Questi MOSFET hanno valori di tensione drain-to-source compresi tra 200 V e 1.000 V e valori di corrente drain compresi tra 10 A e 100 A. Queste caratteristiche rendono la classe Q3 una combinazione ottimizzata di bassa resistenza di stato attivo (R_dson) e carica di gate (Q_g), riducendo sostanzialmente la perdita di conduzione e di commutazione del dispositivo. Le capacità di commutazione di potenza e la robustezza del dispositivo sono ulteriormente migliorate grazie all'utilizzo del processo HiperFET. Questo processo produce un dispositivo con un raddrizzatore intrinseco veloce, che fornisce una bassa carica di recupero inversa (Q_rr), migliorando al contempo i valori di dv/dt di commutazione del dispositivo (fino a 50 V/ns).