MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 250 V

I MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 250 V di Infineon offrono al progettista una nuova opzione che può semplificare i circuiti ottimizzando le prestazioni. Il vantaggio principale di un dispositivo a canale P è la riduzione della complessità di progettazione nelle applicazioni a potenza media e bassa. I MOSFET di potenza a canale P sono ideali per protezione della batteria, protezione della polarità inversa, caricabatteria lineari, commutazione di carico, convertitori CC-CC e applicazioni di azionamento a bassa tensione.