Transistor integrati con resistore di polarizzazione per il settore automobilistico RN

I transistor incorporati (BRT) del resistore di polarizzazione per il settore automobilistico RN di Toshiba sono qualificati AEC-Q101 e ottimizzati per applicazioni di commutazione, circuito inverter, interfacciamento e circuito driver. Il resistore di polarizzazione è integrato, riducendo il numero di parti esterne richieste e diminuendo le dimensioni e i tempi di assemblaggio del sistema. I resistori di polarizzazione automotive RN di Toshiba offrono un'ampia gamma di resistenze per adattarsi a vari progetti di circuiti.

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Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
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37.368A magazzino
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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41.000A magazzino
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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5.980A magazzino
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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5.772A magazzino
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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5.953A magazzino
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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5.119A magazzino
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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2.715A magazzino
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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5.985A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)
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7.943A magazzino
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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5.998A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
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7.662A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
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5.617A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
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5.870A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
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7.688A magazzino
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Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
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4.724A magazzino
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
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30.270A magazzino
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Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
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5.683A magazzino
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: 3.000

Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
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136A magazzino
6.00016/10/2026 previsto
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Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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3.000A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
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954A magazzino
3.00012/02/2027 previsto
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
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5.764A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
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7.585A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM)
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6.937A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM)
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487A magazzino
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Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM)
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2.873A magazzino
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