MOSFET e diodi al carburo di silicio 1200 V

I MOSFET e i diodi al carburo di silicio (SiC) da 1200 V di Wolfspeed creano una potente combinazione di maggiore efficienza nelle applicazioni più esigenti. Questi MOSFET e diodi Schottky sono progettati per l'uso in applicazioni ad alta potenza. I MOSFET SiC 1.200 V presentano una sovratemperatura R_{ds (on)} stabile e resistenza all'effetto a valanga. Questi MOSFET sono robusti diodi a corpo che non richiedono diodi esterni e sono più facili da pilotare in quanto offrono un gate drive 15 V. I MOSFET SiC 1.200 V offrono una migliore efficienza a livello di sistema con minori perdite di commutazione e conduzione e una migliore densità di potenza a livello di sistema.