MOSFET a trincea a canale P a 20 V BSH205G2

Il MOSFET a trincea a canale P NXP è un transistor a effetto di campo (FET) ad arricchimento in un piccolo package di plastica a montaggio superficiale (SMD) SOT23 (TO-236AB). Impiega la tecnologia MOSFET a trincea e offre una bassa tensione di soglia e una commutazione estremamente rapida. Questo MOSFET è ideale per applicazioni come driver di relè, driver di linea ad alta velocità e circuiti di commutazione.
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Nexperia MOSFET BSH205G2A/SOT23/TO-236AB
Scheda dati
147.917A magazzino
3.00021/09/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 118 mOhms 8 V 900 mV 4.6 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET BSH205G2/SOT23/TO-236AB
Scheda dati
35.479In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 170 mOhms 8 V 450 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET BSH205G2/SOT23/TO-236AB
Scheda dati
19.99922/01/2027 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 170 mOhms 8 V 950 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel