Nexperia MOSFET a trincea a canale P a 20 V BSH205G2

Il MOSFET a trincea a canale P NXP è un transistor a effetto di campo (FET) ad arricchimento in un piccolo package di plastica a montaggio superficiale (SMD) SOT23 (TO-236AB). Impiega la tecnologia MOSFET a trincea e offre una bassa tensione di soglia e una commutazione estremamente rapida. Questo MOSFET è ideale per applicazioni come driver di relè, driver di linea ad alta velocità e circuiti di commutazione.

Features

  • Low threshold voltage
  • Trench MOSFET technology
  • Low on-state resistance
  • Enhanced power dissipation capability of 890mW

Applicazioni

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • High-side loadswitch
  • Switching circuits