MOSFET EliteSiC M1

MOSFET EliteSiC M1 di onsemi  con tensione   nominale di 1200 V e 1700 V. I MOSFET M1 di onsemi  sono progettati per soddisfare i requisiti delle applicazioni ad alta potenza che richiedono affidabilità ed efficienza. I MOSFET EliteSiC M1 sono disponibili in varie opzioni di package, tra cui D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD e die nude.

Risultati: 27
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Nome commerciale

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
Scheda dati
1.390A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 225

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Scheda dati
2.419A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Scheda dati
947A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC 20MW 1200V
Scheda dati
865A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
Scheda dati
660A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
Scheda dati
1.145A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
Scheda dati
1.930A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Scheda dati
1.830A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
Scheda dati
1.853A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
Scheda dati
1.182A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
Scheda dati
181A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
Scheda dati
282A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
Scheda dati
224A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
Scheda dati
205A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Scheda dati
53A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
Scheda dati
767A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 225

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.7 kV 81 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS 20MW 1200V
Scheda dati
2.163A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC 20MW 1200V
Scheda dati
760A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
Scheda dati
456A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
Scheda dati
187A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Scheda dati
727A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 225

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
Scheda dati
84A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Scheda dati
333A magazzino
1.600In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 800
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
Scheda dati
183A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
Scheda dati
1A magazzino
900In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC