MOSFET EliteSiC M1

MOSFET EliteSiC M1 di onsemi  con tensione   nominale di 1200 V e 1700 V. I MOSFET M1 di onsemi  sono progettati per soddisfare i requisiti delle applicazioni ad alta potenza che richiedono affidabilità ed efficienza. I MOSFET EliteSiC M1 sono disponibili in varie opzioni di package, tra cui D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD e die nude.

Risultati: 27
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 947A magazzino
Nastro continuo
18,13 €
13,62 €
12,89 €
Nastrati
12,89 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1.338A magazzino
18,19 €
12,82 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 2.372A magazzino
11,65 €
6,49 €
6,24 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L 753A magazzino
31,02 €
24,16 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.7 kV 81 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 1.930A magazzino
Nastro continuo
10,44 €
5,87 €
5,72 €
5,41 €
Nastrati
5,41 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 1.830A magazzino
Nastro continuo
8,12 €
4,75 €
4,44 €
4,20 €
Nastrati
4,20 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1.040A magazzino
11,90 €
6,64 €
6,61 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 660A magazzino
10,95 €
6,05 €
5,75 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1.182A magazzino
14,07 €
9,62 €
9,08 €
8,77 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1 84A magazzino
Nastro continuo
47,63 €
38,65 €
34,53 €
Nastrati
34,53 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 266A magazzino
41,47 €
35,28 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART 224A magazzino
24,42 €
16,13 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART 181A magazzino
12,32 €
6,56 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 53A magazzino
Nastro continuo
25,11 €
18,83 €
17,39 €
15,59 €
Nastrati
15,59 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS 20MW 1200V 2.160A magazzino
Nastro continuo
33,51 €
25,34 €
25,33 €
23,99 €
Nastrati
23,99 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC 20MW 1200V 745A magazzino
33,24 €
23,44 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC 20MW 1200V 755A magazzino
45,03 €
37,72 €
34,13 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 426A magazzino
Nastro continuo
11,76 €
7,00 €
6,62 €
Nastrati
6,62 €
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 177A magazzino
29,53 €
23,55 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART 1.733A magazzino
8,86 €
6,26 €
5,21 €
4,64 €
4,35 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 363A magazzino
45026/10/2026 previsto
20,07 €
12,65 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 477A magazzino
45018/06/2027 previsto
8,64 €
4,74 €
4,37 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 990A magazzino
80016/04/2027 previsto
Nastro continuo
11,43 €
7,61 €
7,03 €
5,93 €
Nastrati
5,93 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 183A magazzino
11,24 €
6,24 €
5,96 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
6.109In ordine
Nastro continuo
34,76 €
28,26 €
26,59 €
24,93 €
Nastrati
24,93 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 71 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 222 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement EliteSiC