MOSFET di potenza serie EF SiHx28N60EF/SiHx33N60EF

I MOSFET di potenza serie EF SiHx28N60EF/SiHx33N60EF Vishay sono MOSFET di potenza a canale N con diodo a corpo rapido da 600 V sviluppati per topologie PWM ZVS/commutazione soft come ponti a variazione di fase e mezzi ponti con convertitore LLC. I MOSFET di potenza serie EF SiHx28N60EF/SiHx33N60EF migliorano l'affidabilità in queste applicazioni fornendo un Qrr 10 volte più basso rispetto ai MOSFET standard. Questo consente ai dispositivi di riprendere il controllo per bloccare la tensione di rottura completa più rapidamente, in modo da evitare guasti da sovracorrente e overstress termico. Inoltre, il Qrr ridotto produce perdite di recupero di inversione più basse rispetto ai MOSFET standard. La bassissima resistenza in conduzione e la carica del gate dei dispositivi si trasformano in conduzione estremamente bassa e perdite di commutazione per risparmiare energia nelle applicazioni in modalità di commutazione ad alta potenza e alte prestazioni. Sulla base della tecnologia superjunction serie E, la serie è a potenza nominale elevata (UIS) ed è disponibile in integrati TO-220, TO-263, TO-220F e TO-247AC.
Maggiori informazioni

Risultati: 31
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode 7.426A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB 950A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 180 mOhms 30 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode 1.042A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode 1.695A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode 461A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Bulk

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC 289A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 600V
7.606A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 176 mOhms 30 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode 2.218A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode 1.710A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET 1.516A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC 475A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 63 mOhms 30 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 2.873A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 130 mOhms 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AD 409A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 2.927A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 332 mOhms 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) 835A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 2.996A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 220 mOhms 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC 440A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode 969A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 800V 20A N-CH MOSFET 1.387A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 20A N-CH MOSFET 1.620A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET 332A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC 59A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 32 mOhms 30 V 2 V 400 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
95321/12/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode 500Disponibile a magazzino
Min: 50
Mult.: 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK Non disponibile a magazzino
Min: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 24 A 156 mOhms 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube