MOSFET al carburo di silicio 650 V G2 CoolSiC™

I MOSFET al carburo di silicio CoolSiC™ 650 V G2 di Infineon Technologies sfruttano le capacità delle prestazioni del carburo di silicio consentendo una minore perdita di energia che si traduce in una maggiore efficienza durante la conversione di potenza. I MOSFET Infineon CoolSiC 650 V G2 offrono vantaggi per varie applicazioni dei semiconduttori quali il fotovoltaico, la conservazione di energia CC EV, la carica di azionamenti motori e gli alimentatori industriali. Una stazione di ricarica rapida CC per veicoli elettrici dotata di CoolSiC G2 consente una perdita di potenza fino al 10% in meno rispetto alle generazioni precedenti, consentendo al contempo una maggiore capacità di ricarica senza compromettere i fattori di forma.

Risultati: 53
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 21A magazzino
2.00020/05/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 39A magazzino
4.00025/03/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 199A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 64A magazzino
480In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 58A magazzino
240In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.112A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 115 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.805A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.737A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 2.042A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 670A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 93 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 160A magazzino
1.680In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 279A magazzino
720In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 870A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 240

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 14A magazzino
3.600In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 225A magazzino
1.80006/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 40A magazzino
1.80006/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 217A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 5A magazzino
2.00029/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 10A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 9A magazzino
72019/11/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 144 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
1.500In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 196 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 937 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
4.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 131 A 18 mOhms - 7 V to 23 V 4.5 V 148 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
3.97208/04/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
2.313In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
15.60010/06/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC