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Infineon Technologies MOSFET di potenza da 200V OptiMOS ™ 6

I MOSFET di potenza da 200V OptiMOS ™ 6 di Infineon Technologies sono MOSFET a canale N di livello normale disponibili in package PG-TO263-3, PG-TO220-3 e PG-HDSOP-16. Questi MOSFET presentano un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), una bassissima carica di recupero inverso (Qrr) e una bassa resistenza in conduzione RDS(on). I MOSFET OptiMOS™ 6 da 200 V funzionano a una temperatura di 175 °C. Questi MOSFET sono esenti da alogeni secondo la norma IEC61249‑2‑21 e sono classificati con un livello di sensibilità all'umidità (MSL 1) secondo gli standard J‑STD-020. I MOSFET da 200V OptiMOS™ 6 sono ideali per energie rinnovabili, controllo del motore, amplificatori audio e applicazioni industriali.

Caratteristiche

  • Canale N, livello normale
  • Tensione di drain-source 200V
  • Bassa resistenza in conduzione RDS(on)
  • Eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM)
  • Bassissima carica di recupero inverso (Qrr)
  • Temperatura di funzionamento 175 °C
  • Conforme a RoHS
  • Senza alogeni secondo la norma IEC61249‑2‑21
  • Classificati MSL 1 secondo la norma J‑STD-020
  • Disponibile nei package PG-TO263-3, PG-TO220-3 e PG-HDSOP-16

Applicazioni

  • Esigenze industriali

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Schede tecniche

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Codice prodotto Scheda dati Id - corrente di drain continua Transconduttanza diretta - Min Pd - Dissipazione di potenza Qg - Carica del gate Rds On - Drain-source sulla resistenza Tempo di salita Vds - Tensione di rottura drain-source Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Ritardo di spegnimento tipico Tipico ritardo di accensione Tempo di caduta Numero di canali Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima
IPTC068N20NM6ATMA1 IPTC068N20NM6ATMA1 Scheda dati 140 A 33 S 319 W 71 nC 6.8 mOhms 15 ns 200 V 20 V 4.5 V 28 ns 19 ns 9 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
IPB095N20NM6ATMA1 IPB095N20NM6ATMA1 Scheda dati 116 A 23 S 300 W 53 nC 8.7 mOhms 30 ns 200 V 20 V 4.5 V 28 ns 15 ns 11 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
IPP095N20NM6AKSA1 IPP095N20NM6AKSA1 Scheda dati 116 A 23 S 300 W 53 nC 8.7 mOhms 30 ns 200 V 20 V 4.5 V 28 ns 15 ns 11 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
IPB175N20NM6ATMA1 IPB175N20NM6ATMA1 Scheda dati 61 A 203 W 31 nC 15.5 mOhms 23 ns 200 V 20 V 4.5 V 23 ns 12 ns 9.8 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
IPP130N20NM6AKSA1 IPP130N20NM6AKSA1 Scheda dati 87 A 18 S 234 W 37 nC 12 mOhms 13 ns 200 V 20 V 4.5 V 20 ns 12 ns 7 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
IPP175N20NM6AKSA1 IPP175N20NM6AKSA1 Scheda dati 61 A 13 S 203 W 31 nC 15.5 mOhms 23 ns 200 V 20 V 4.5 V 23 ns 12 ns 9.8 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
ISC300N20NM6ATMA1 ISC300N20NM6ATMA1 Scheda dati 44 A 22 S 136 W 17 nC 30 mOhms 7 ns 200 V - 20 V, 20 V 4.5 V 11 ns 8 ns 6 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
ISC130N20NM6ATMA1 ISC130N20NM6ATMA1 Scheda dati 88 A 17 S 242 W 39 nC 13 mOhms 15 ns 200 V - 20 V, 20 V 4.5 V 20 ns 10 ns 9 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1 Scheda dati 39 A 7.3 S 125 W 15.9 nC 33.9 mOhms 14 ns 200 V - 20 V, 20 V 4.5 V 15 ns 9 ns 8 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
IPF067N20NM6ATMA1 IPF067N20NM6ATMA1 Scheda dati 138 A 32 S 300 W 72 nC 6.2 mOhms 21 ns 200 V - 20 V, 20 V 3.7 V 30 ns 17 ns 12 ns 1 Channel - 55 C + 175 C
Pubblicato: 2025-04-23 | Aggiornato: 2025-09-03