Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS 6 100V

I MOSFET di potenza Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100V sono offerti in pacchetti SuperSO8 e PQFN 3,3 x 3,3 e sono ottimizzati per applicazioni ad alta frequenza di commutazione, come le telecomunicazioni e il solare, dove le perdite sono associate alle cariche (commutazione) e alla resistenza di stato (conduzione). Inoltre, grazie al miglior R_DS(on) della categoria e a un'area operativa sicura (SOA) più ampia, il dispositivo è ideale anche per le applicazioni alimentate a batteria (BPA) e i sistemi di gestione della batteria (BMS).

Rispetto alla tecnologia OptiMOS™ 5, la tecnologia leader thin wafer di Infineon consente di ottenere significativi miglioramenti delle prestazioni - si vedano le caratteristiche riportate di seguito.

Caratteristiche

Rispetto alla generazione precedente / Tecnologia OptiMOS™ 5:
- 18% di R_DS(on) più basso e SOA più ampio
- FOM notevolmente migliorati per una maggiore efficienza:
  - FOM Q_g x R_DS(on) = -29%
  - FOM Q_gd x R_DS(on) = -42%
- Onere di recupero inverso più basso e più attenuato (Q_rr)
Ottimizzato per applicazioni ad alta frequenza di commutazione (ad es. solare, telecomunicazioni)
Riduzione dei costi di sistema grazie a una progettazione termica più semplice e a un minor numero di parallelismi

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020
Rapporto prezzo/prestazioni vantaggioso per applicazioni ad alta frequenza di commutazione (ad es. solare, telecomunicazioni)
Basse perdite di conduzione
Basse perdite di commutazione
Accensione e spegnimento rapidi
Conformi alla direttiva RoHS, privo di piombo