MOSFET di potenza OptiMOS 6 100V

I MOSFET di potenza Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100V sono offerti in pacchetti SuperSO8 e PQFN 3,3 x 3,3 e sono ottimizzati per applicazioni ad alta frequenza di commutazione, come le telecomunicazioni e il solare, dove le perdite sono associate alle cariche (commutazione) e alla resistenza di stato (conduzione). Inoltre, grazie al miglior RDS(on) della categoria e a un'area operativa sicura (SOA) più ampia, il dispositivo è ideale anche per le applicazioni alimentate a batteria (BPA) e i sistemi di gestione della batteria (BMS).

Risultati: 8
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 10.262A magazzino
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 179 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 55 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 2.513A magazzino
10.000In ordine
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 97 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 7.986A magazzino
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.04 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 9.913A magazzino
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 80A magazzino
20.000In ordine
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 192 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 58 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 200A magazzino
15.00020/08/2026 previsto
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 2.140A magazzino
5.00012/03/2026 previsto
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
26.269In ordine
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 230 A 2.24 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 73 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel