Infineon Technologies Moduli IGBT EasyPACK™ F3L200R07W2S5FP

I moduli IGBT EasyPACK™ F3L200R07W2S5FP di Infineon Technologies presentano una maggiore capacità di tensione di blocco fino a 650 V e utilizzano il diodo Schottky CoolSiC™ (gen5). Questi dispositivi sono basati sulla tecnologia di contatto TRENCHSTOP™ IGBT5 e PressFIT. I moduli IGBT F3L200R07W2S5FP offrono perdite di commutazione fortemente ridotte e un substrato Al2O3 con bassa resistenza termica. Questi moduli presentano un design compatto che include un montaggio robusto grazie ai morsetti di montaggio integrati e al materiale di interfaccia termica pre-applicato. I moduli IGBT F3L200R07W2S5FP sono ideali per l'uso in azionamenti di motori, applicazioni solari, applicazioni a 3 livelli e sistemi UPS.

Caratteristiche

  • Diodo Schottky CoolSiC (gen 5)
  • Maggiore capacità di tensione di blocco fino a 650 V
  • Basse perdite di commutazione
  • Design compatto
  • Substrato Al2Ocon bassa resistenza termica
  • Tecnologia di contatto PressFIT
  • Montaggio resistente grazie ai morsetti di montaggio integrati
  • Materiale di interfaccia termica pre-applicato

Applicazioni

  • Azionamenti di motori
  • Fotovoltaico
  • Applicazioni a 3 livelli
  • Sistemi UPS

Schemi di circuito

Schema di circuito di applicazione - Infineon Technologies Moduli IGBT EasyPACK™ F3L200R07W2S5FP
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Codice prodotto Scheda dati Descrizione Tipo di prodotto Quantità collo standard
F3L200R07W2S5FB11BOMA1 F3L200R07W2S5FB11BOMA1 Scheda dati Moduli IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module IGBT Modules 15
F3L200R07W2S5FPB55BPSA1 Moduli IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module IGBT Modules 18
F3L200R07W2S5FPB56BPSA1 Moduli IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module IGBT Modules 18
Pubblicato: 2020-05-11 | Aggiornato: 2024-10-24