Infineon Technologies Moduli IGBT EasyPACK™ F3L200R07W2S5FP
I moduli IGBT EasyPACK™ F3L200R07W2S5FP di Infineon Technologies presentano una maggiore capacità di tensione di blocco fino a 650 V e utilizzano il diodo Schottky CoolSiC™ (gen5). Questi dispositivi sono basati sulla tecnologia di contatto TRENCHSTOP™ IGBT5 e PressFIT. I moduli IGBT F3L200R07W2S5FP offrono perdite di commutazione fortemente ridotte e un substrato Al2O3 con bassa resistenza termica. Questi moduli presentano un design compatto che include un montaggio robusto grazie ai morsetti di montaggio integrati e al materiale di interfaccia termica pre-applicato. I moduli IGBT F3L200R07W2S5FP sono ideali per l'uso in azionamenti di motori, applicazioni solari, applicazioni a 3 livelli e sistemi UPS.Caratteristiche
- Diodo Schottky CoolSiC (gen 5)
- Maggiore capacità di tensione di blocco fino a 650 V
- Basse perdite di commutazione
- Design compatto
- Substrato Al2O3 con bassa resistenza termica
- Tecnologia di contatto PressFIT
- Montaggio resistente grazie ai morsetti di montaggio integrati
- Materiale di interfaccia termica pre-applicato
Applicazioni
- Azionamenti di motori
- Fotovoltaico
- Applicazioni a 3 livelli
- Sistemi UPS
Schemi di circuito
Guida alla selezione
Guida alla selezione dei prodotti di alimentazione e rilevamento di Infineon
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| Codice prodotto | Scheda dati | Descrizione | Tipo di prodotto | Quantità collo standard |
|---|---|---|---|---|
| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | ![]() |
Moduli IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module | IGBT Modules | 15 |
| F3L200R07W2S5FPB55BPSA1 | Moduli IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module | IGBT Modules | 18 | |
| F3L200R07W2S5FPB56BPSA1 | Moduli IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module | IGBT Modules | 18 |
Pubblicato: 2020-05-11
| Aggiornato: 2024-10-24

