Moduli IGBT EasyPACK™ F3L200R07W2S5FP

I moduli IGBT EasyPACK™ F3L200R07W2S5FP di Infineon Technologies presentano una maggiore capacità di tensione di blocco fino a 650 V e utilizzano il diodo Schottky CoolSiC™ (gen5). Questi dispositivi sono basati sulla tecnologia di contatto TRENCHSTOP™ IGBT5 e PressFIT. I moduli IGBT F3L200R07W2S5FP offrono perdite di commutazione fortemente ridotte e un substrato Al2O3 con bassa resistenza termica. Questi moduli presentano un design compatto che include un montaggio robusto grazie ai morsetti di montaggio integrati e al materiale di interfaccia termica pre-applicato. I moduli IGBT F3L200R07W2S5FP sono ideali per l'uso in azionamenti di motori, applicazioni solari, applicazioni a 3 livelli e sistemi UPS.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto Configurazione Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione di saturazione collettore-emettitore Collettore a corrente continua a 25 °C Corrente di perdita gate-emettitore Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Confezione
Infineon Technologies Moduli IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module Tempo di consegna 10 settimane
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SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.17 V 200 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
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Infineon Technologies F3L200R07W2S5FPB56BPSA1
Infineon Technologies Moduli IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
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