Infineon Technologies Scheda di valutazione Eval-1ED3144MC12H-SiC
La scheda di valutazione Eval-1ED3144MC12H-SiC di Infineon Technologies consente di dimostrare le prestazioni del CI gate driver isolato 1ED3144MC12H EiceDRIVER™ in configurazione a mezzo ponte. La scheda può essere utilizzata per valutare altri CI compatibili con i pin della famiglia di CI gate driver 1ED314xMC12H EiceDRIVER sostituendo i CI gate driver stessi.La scheda di valutazione Eval-1ED3144MC12H-SiC di Infineon Technologies viene fornita con due MOSFET trench SiC CoolSiC™ IMZA120R020M1H da 1.200 V non assemblati in package TO247-4. Questi interruttori possono essere sostituiti con qualsiasi altro interruttore desiderato, come gli IGBT Infineon o i transistori CoolSiC o CoolMOS™.
Caratteristiche
- Tensione di alimentazione massima assoluta di uscita pari a 35 V
- Corrente di uscita tipica fino a ± 6,5 A
- UVLO di uscita riferito al pin GND2 per una protezione ottimale con tensioni di alimentazione bipolari
- Spegnimento attivo
- Immunità transitoria di modo comune CMTI > 300 kV/us
- Ritardo di propagazione tipico pari a 40 ns
- Adattamento del ritardo di propagazione IC-to-IC
- Tensione di alimentazione di ingresso di 3,3 V e 5 V
- Package PG-LDSO-8 a corpo largo con dispersione >8 mm
- Certificazione di sicurezza dei gate driver:
- Riconosciuto UL 1577 con ViSo,test = 6.840 V (rms) per 1 s, Viso= 5.700 V (rms) per 60 s
- Isolamento rinforzato secondo la norma IEC 60747-17 con VIORM = 1.767 V (previsto)
Applicazioni
- Inverter fotovoltaici (PV)
- Accumulo dell'energia e ricarica della batteria
- Gruppi statici di continuità (UPS)
- Alimentatori a commutazione (SMPS)
- Azionamenti industriali
- Settore medico
Contenuto del kit
- Scheda di valutazione Eval-1ED3144MC12H-SiC
- Due MOSFET trench SiC CoolSiC™ IMZA120R020M1H da 1.200 V per l'assemblaggio
Diagramma a blocchi
Pubblicato: 2026-01-28
| Aggiornato: 2026-02-02
