Infineon Technologies MOSFET di potenza SJ S7/S7T CoolMOS™ 600 V
I MOSFET di potenza 600 V CoolMOS™ SJ S7/S7T di Infineon Technologies offrono un prezzo ideale per applicazioni di commutazione a bassa frequenza. Le serie S7 e S7T Il CoolMOS presentano un basso valore RDS (on) per un MOSFET SJ HV, con un aumento dell’efficienza energetica. I MOSFET CoolMOS S7 e S7T di Infineon sono ottimizzati per applicazioni a commutazione statica e ad alta corrente. I MOSFET sono disponibili in un package TOLL o Q-DPAK con varianti lato superiore e lato inferiore. I MOSFET CoolMOS SJ S7 sono destinati ad applicazioni in cui le perdite di commutazione sono irrilevanti. I dispositivi CoolMOS SJ S7T integrano un sensore di temperatura per migliorare la precisione di rilevamento della temperatura di giunzione. I dispositivi sono destinati a soluzioni a stato solido, come interruttori di circuito a stato solido e applicazioni a relè a stato solido (SSR).Caratteristiche
- RDS(on) 22 mΩ in un ingombro ridotto
- Prestazioni di prezzo ottimizzate in applicazioni di commutazione a bassa frequenza
- Capacità di corrente a impulsi elevati
- Il pin sorgente Kelvin migliora le prestazioni di commutazione ad alta corrente
- Perdite di conduzione minime (eliminazione/riduzione del dissipatore di calore)
- Aumento delle prestazioni del sistema
- Design semplice e compatto
- DIBA più bassa o/e TCO per una durata prolungata
- Tempi di commutazione più rapidi
- Alta affidabilità e lunga durata del sistema
- Resistenza a urti e vibrazioni
- Nessun arco di contatto, rimbalzo o degradazione nel corso della durata del prodotto
- Sensore di temperatura integrato (solo S7T)
Applicazioni
- Relè a stato solido e interruttori di circuito
- Elaborazione
- Telecomunicazioni
- Gruppi statici di continuità (UPS)
- Fotovoltaico
Video
Pubblicato: 2020-01-17
| Aggiornato: 2025-10-30
