Infineon Technologies MOSFET di potenza SJ S7/S7T CoolMOS™ 600 V

I MOSFET di potenza 600 V CoolMOS™ SJ S7/S7T di Infineon Technologies offrono un prezzo ideale per applicazioni di commutazione a bassa frequenza. Le serie S7 e S7T Il CoolMOS presentano un basso valore RDS (on) per un MOSFET SJ HV, con un aumento dell’efficienza energetica. I MOSFET CoolMOS S7 e S7T di Infineon sono ottimizzati per applicazioni a commutazione statica e ad alta corrente. I MOSFET sono disponibili in un package TOLL o Q-DPAK con varianti lato superiore e lato inferiore. I MOSFET CoolMOS SJ S7 sono destinati ad applicazioni in cui le perdite di commutazione sono irrilevanti. I dispositivi CoolMOS SJ S7T integrano un sensore di temperatura per migliorare la precisione di rilevamento della temperatura di giunzione. I dispositivi sono destinati a soluzioni a stato solido, come interruttori di circuito a stato solido e applicazioni a relè a stato solido (SSR).

Caratteristiche

  • RDS(on) 22 mΩ in un ingombro ridotto
  • Prestazioni di prezzo ottimizzate in applicazioni di commutazione a bassa frequenza
  • Capacità di corrente a impulsi elevati
  • Il pin sorgente Kelvin migliora le prestazioni di commutazione ad alta corrente
  • Perdite di conduzione minime (eliminazione/riduzione del dissipatore di calore)
  • Aumento delle prestazioni del sistema
  • Design semplice e compatto
  • DIBA più bassa o/e TCO per una durata prolungata
  • Tempi di commutazione più rapidi
  • Alta affidabilità e lunga durata del sistema
  • Resistenza a urti e vibrazioni
  • Nessun arco di contatto, rimbalzo o degradazione nel corso della durata del prodotto
  • Sensore di temperatura integrato (solo S7T)

Applicazioni

  • Relè a stato solido e interruttori di circuito
  • Elaborazione
  • Telecomunicazioni
  • Gruppi statici di continuità (UPS)
  • Fotovoltaico

Video

Pubblicato: 2020-01-17 | Aggiornato: 2025-10-30