600 V CoolMOS™ S7A MOSFET di potenza

I MOSFET di potenza CoolMOS™ S7A da 600 V di Infineon Technologies sono MOSFET a supergiunzione destinati alle applicazioni xEV in cui i MOSFET vengono commutati a bassa frequenza. La progettazione di questi MOSFET offre una RDS_(on) ridotta di 10 mΩ, ottimizzata in termini di costi, che consente di aumentare la densità di potenza e minimizzare le perdite per conduzione. I MOSFET S7A sono dispositivi di grado automobilistico AEC-Q101 che soddisfano i più elevati standard di qualità automobilistica. Questi MOSFET con package QDPAK raffreddato sul lato superiore e sul lato inferiore offrono una maggiore efficienza e controllo. I MOSFET da 600 V sono utilizzati negli eFuse HV, eDisconnect HV e nei caricatori su scheda.