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Infineon Technologies Moduli IGBT a 3 livelli 650 V

I moduli IGBT a 3 livelli 650 V di Infineon Technologies sono moduli EasyPACK™ con tecnologia trench/Fieldstop. Questi moduli presentano un design a bassa induttanza, basse perdite di commutazione e bassa VCE(sat). I moduli IGBT sono dotati di substrato Al2O3 con bassa resistenza termica, design compatto, tecnologia di contatto PressFIT e montaggio robusto grazie ai morsetti di montaggio integrati. Le applicazioni potenziali includono applicazioni a tre livelli, azionamenti per motori, applicazioni solari e sistemi UPS in moduli EasyPACK™.

Caratteristiche

  • Meccanica:
    • Substrato Al2O3 con bassa resistenza termica
    • Design compatto
    • Tecnologia di contatto PressFIT
    • Montaggio resistente grazie ai morsetti di montaggio integrati
  • Elettrico:
    • Design a bassa induttanza
    • Basse perdite di commutazione
    • Bassa VCE(sat)

Specifiche

  • F3L150R07W2H3_B11 e DF300R07W2H3_B77:
    • IC(nom.) = 150 A
    • ICRM = 300 A
  • F3L100R07W2H3_B11 e DF200R07W2H3_B77:
    • IC (nom.) = 100 A
    • ICRM = 200 A
  • VCES 650 V
  • Maggiore capacità di tensione di blocco fino a 650 V
  • Intervallo temperatura di conservazione da -40 °C a 125 °C (Tstg)
  • Forza di montaggio da 40 N a 80 N per morsetto
  • Peso 39 g

Applicazioni

  • Applicazioni a tre livelli
  • Azionamenti motori
  • Applicazioni solari
  • Sistemi UPS

Diagrammi schematici

Schema - Infineon Technologies Moduli IGBT a 3 livelli 650 V

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F3L150R07W2H3B11BPSA1 F3L150R07W2H3B11BPSA1 Scheda dati Tray 15
DF300R07W2H3B77BPSA1 DF300R07W2H3B77BPSA1 Scheda dati Tray 15
Pubblicato: 2022-02-16 | Aggiornato: 2024-07-26