Moduli IGBT a 3 livelli 650 V

I moduli IGBT a 3 livelli 650 V di Infineon Technologies sono moduli EasyPACK™ con tecnologia trench/Fieldstop. Questi moduli presentano un design a bassa induttanza, basse perdite di commutazione e bassa VCE(sat). I moduli IGBT sono dotati di substrato Al2O3 con bassa resistenza termica, design compatto, tecnologia di contatto PressFIT e montaggio robusto grazie ai morsetti di montaggio integrati. Le applicazioni potenziali includono applicazioni a tre livelli, azionamenti per motori, applicazioni solari e sistemi UPS in moduli EasyPACK™.

Risultati: 4
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Collettore a corrente continua a 25 °C
Corrente di perdita gate-emettitore
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
Infineon Technologies Moduli IGBT EASY
Scheda dati
2A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.46 V 100 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT EASY
Scheda dati
4A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.68 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT EASY
Scheda dati
11A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.68 V 150 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT EASY
Scheda dati
9A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.68 V 150 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray