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Infineon Technologies Transistor GaN 650 V ad arricchimento per il settore automobilistico

I transistor GaN 650 V ad arricchimento per il settore automobilistico di Infineon Technologies consentono alta corrente, alta tensione di rottura e alta frequenza di commutazione. I transistor Infineon Technologies sono innovativi grazie alla Island Technology®coperta da brevetto e al package GaNPX ®. Il layout delle celle della Island Technology realizza die ad alta corrente e alta resa. Il package GaNPX consente una bassa induttanza e una bassa resistenza termica in un package di dimensioni ridotte. I transistor GS-065-060-5-T-A sono raffreddati dall'alto e offrono bassa resistenza termica da giunzione a involucro per applicazioni esigenti ad alta potenza. Queste caratteristiche si combinano per fornire commutazione di potenza ad alta efficienza.  L' GS-065-060-5-B-A è un transistor raffreddato dal basso che offre bassa resistenza termica da giunzione a involucro per applicazioni esigenti ad alta potenza.

Caratteristiche

  • AEC-Q101 e AutoQual + ™ (Enhanced-AEC-Q101)
  • Transistor di potenza 650 V ad arricchimento
  • Integrato GaNPX a bassa induttanza, raffreddato dall’alto e dal basso
  • RDS (on) = 25 mΩ
  • IDS (max.) = 60 A
  • FOM ultrabasso
  • Semplici requisiti di pilotaggio del gate (da 0 V a 6 V)
  • Gate drive con tolleranza ai transitori (-20/+10 V)
  • Alta frequenza di commutazione (>10 MHz)
  • Tempi di salita e discesa controllabili e rapidi
  • Capacità di conduzione inversa
  • Recupero inverso nullo
  • Ingombro PCB ridotto 11 mm2 x 9 mm2
  • Gate pad doppi per un layout ottimale della scheda
  • Conforme a RoHS 3 (6 + 4)

Applicazioni

  • Caricabatterie di bordo
  • Trazione
  • Convertitori CC-CC
  • Unità di azionamenton industriali
  • Convertitori solari
  • PFC Totem Pole senza ponte

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Pubblicato: 2023-03-06 | Aggiornato: 2024-08-22