Transistor GaN 650 V ad arricchimento per il settore automobilistico

I transistor GaN 650 V ad arricchimento per il settore automobilistico di Infineon Technologies consentono alta corrente, alta tensione di rottura e alta frequenza di commutazione. I transistor Infineon Technologies sono innovativi grazie alla Island Technology®coperta da brevetto e al package GaNPX ®. Il layout delle celle della Island Technology realizza die ad alta corrente e alta resa. Il package GaNPX consente una bassa induttanza e una bassa resistenza termica in un package di dimensioni ridotte. I transistor GS-065-060-5-T-A sono raffreddati dall'alto e offrono bassa resistenza termica da giunzione a involucro per applicazioni esigenti ad alta potenza. Queste caratteristiche si combinano per fornire commutazione di potenza ad alta efficienza.  L' GS-065-060-5-B-A è un transistor raffreddato dal basso che offre bassa resistenza termica da giunzione a involucro per applicazioni esigenti ad alta potenza.