MOSFET trench SiC G1 1200 V per il settore automotive CoolSiC™

I MOSFET a trench in SiC CoolSiC™ Automotive 1200 V serie G1 di Infineon Technologies offrono una maggiore densità di potenza, un'efficienza più elevata e una maggiore affidabilità. Il portafoglio granulare comprende MOSFET SiC 1.200 V nei package TO-247 a 3 pin, TO-247 a 4 pin e D2PAK a 7 pin con una RDS_(on) che va da 8,7 mΩ a 160 mΩ e ID a +25 °C con un massimo da 17 A a 205 A. L'elevata densità di potenza, l'efficienza superiore, le funzionalità di ricarica bidirezionale e la significativa riduzione dei costi di sistema rendono i moduli MOSFET CoolSiC™ per il settore automobilistico da 1200 V di Infineon Technologies la scelta ideale per i caricabatterie di bordo e le applicazioni CC-CC. I componenti TO- e SMD sono inoltre dotati di pin sorgente Kelvin per prestazioni di commutazione ottimizzate.