MOSFET di potenza SiC AEC-Q101

I MOSFET di potenza SiC AEC-Q101 di ROHM Semiconductor sono ideali per alimentatori automobilistici e a commutazione. I MOSFET di potenza SiC possono essere utilizzati per aumentare la frequenza di commutazione, riducendo i volumi di condensatori, reattori e altri componenti richiesti. I MOSFET di potenza SiC AEC-Q101 offrono eccellenti riduzioni di dimensioni e peso all’interno di vari sistemi di azionamento, come inverter e convertitori CC-CC nei veicoli.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
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350A magazzino
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Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 118 A 22.1 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 172 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
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346A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Scheda dati
703A magazzino
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Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
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1.822A magazzino
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: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
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750A magazzino
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Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
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366A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
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506A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
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460A magazzino
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Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
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199A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
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1.619A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 750V 56A N-CH SIC
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787A magazzino
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Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
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499A magazzino
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Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
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1.201A magazzino
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: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
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428A magazzino
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
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810A magazzino
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Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
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450A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
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115A magazzino
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Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
Scheda dati
669A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO263 750V 31A N-CH SIC
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301A magazzino
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: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
Scheda dati
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366A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
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321A magazzino
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Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
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547A magazzino
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: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO263 750V 31A N-CH SIC
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1.996A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
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1.488A magazzino
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: 1.000

SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET SiC TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
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740A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 62 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement