Infineon MOSFET SiC

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
Scheda dati
187A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Scheda dati
140A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Scheda dati
66A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Scheda dati
133A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
140A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Scheda dati
70A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Scheda dati
28A magazzino
75026/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 750

SMD/SMT HD-SOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 65.6 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Scheda dati
118A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Scheda dati
140A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
140A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Scheda dati
138A magazzino
1.00023/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
119A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
1.165A magazzino
1.500In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SIC_DISCRETE
Scheda dati
799A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
3.980A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SIC_DISCRETE
Scheda dati
192A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 80 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SIC_DISCRETE
Scheda dati
1.356A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 80 mOhms - 20 V, + 20 V 4.5 V - 55 C + 175 C 714 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SIC_DISCRETE
Scheda dati
837A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 59 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 57 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
865A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
739A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
651A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
783A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
1.148A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 125 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 23 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Scheda dati
345A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 83 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
753A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC