IXYS MOSFET SiC

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
IXYS MOSFET SiC 1700V/750mohm SiC MOSFET TO-263-7L
Scheda dati
63A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D2PAK-7 (TO-263-7) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.4 A 750 mOhms - 20 V, + 20 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in ISO247-4L
Scheda dati
390In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 47 mOhms 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 143.7 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in ISO247-4L
Scheda dati
400In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 23.4 mOhms 21 V 4.8 V 155 nC - 40 C + 150 C 223.2 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC TO268 1.2KV 90A SIC POWER
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 92 settimane
Min: 30
Mult.: 30

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 90 A 34 mOhms - 20 V, + 20 V 2 V - 40 C + 150 C