MOSFET di potenza MDmesh™ II

I MOSFET di potenza STMicroelectronics MDmesh™ II associano una struttura verticale alla disposizione a striscia degli STM per ottenere uno dei più bassi valori di resistenza in conduzione e carica del gate nel settore, caratteristica che li rende idonei ai più esigenti convertitori ad alta efficienza. Questi MOSFET di potenza MDmesh™ II sono totalmente isolati, hanno un integrato di profilo basso, con una maggiore distanza superficiale dal piedino alla piastra del dissipatore. Sono testati al 100% con il metodo avalanche e presentano bassi valori di capacitanza in entrata, carica del gate e resistenza in entrata al gate.
Maggiori informazioni

Risultati: 129
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale Confezione

STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2 633A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 68 A 30 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 118 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package 4.481A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET 1.532A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 88 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 57 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H 3.751A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 290 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa 1.260A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 87 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack 1.144A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 87 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package 3.209A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 370 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 999A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 117 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 41.5 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package 1.848A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 135 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A 1.088A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 88 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 1.092A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 87 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 56.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV 3.126A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 355 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A 1.075A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7.5 A 600 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 13.5 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 2.265A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.5 A 1.06 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 981A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 165 mOhms - 25 V, 25 V 2 V - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV 2.794A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 415 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 13 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 697A magazzino
1.00029/03/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 117 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 41.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 1.792A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4.5 A 1.06 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 1.752A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4.5 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 8 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 251A magazzino
1.00018/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 360 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 2.073A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 16 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2 784A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 120 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 37 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 1.816A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5.5 A 780 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package 45A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.35 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa 707A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 163 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 33 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube