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TK100A10N1,S4X

Name: Toshiba TK100A10N1,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK100A10N1S4X
Price: 4.82 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TK100A10N1S4X

N. produttore:

TK100A10N1,S4X

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V

Scheda dati:

TK100A10N1,S4X Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	4,82 €	4,82 €
	2,55 €	25,50 €
	2,37 €	237,00 €
	1,99 €	995,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	100 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	3.1 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	140 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	45 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	U-MOSVIII-H
Confezione:	Tube
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	TK100A10N1
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	2 g