Moduli MOSFET

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Serie
Confezione
Infineon Technologies Moduli MOSFET EASY
Scheda dati
7A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Microchip Technology Moduli MOSFET MOSFET Linear 500 V 52 A SOT-227
Scheda dati
69A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 52 A 90 mOhms - 30 V, + 30 V 2 V - 55 C + 150 C 568 W Tube
Microchip Technology Moduli MOSFET MOSFET MOS7 1000 V 45 Ohm SOT-227
Scheda dati
168A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 21 A 450 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 460 W Tube
Infineon Technologies Moduli MOSFET EASY
Scheda dati
19A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 100 A 11.3 mOhms - 10 V, + 20 V 5.55 V - 40 C + 150 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Moduli MOSFET Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Scheda dati
16A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray

Infineon Technologies Moduli MOSFET Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Scheda dati
36A magazzino
4809/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Si - 40 C + 175 C M1H Tray
Vishay Semiconductors Moduli MOSFET 200V, 3.3mOhm, 270A SOT-227 Pwr Mod
Scheda dati
487A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 200 V 287 A 4.7 mOhms - 20 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 150 C 937 W
onsemi Moduli MOSFET 3-PHASE INVERTER
Scheda dati
108A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole - 20 V, + 20 V - 40 C + 150 C NXV08V110DB1 Tube
GeneSiC Semiconductor Moduli MOSFET 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
Scheda dati
71A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Moduli MOSFET 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
Scheda dati
96A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Moduli MOSFET 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
Scheda dati
96A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Moduli MOSFET 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
Scheda dati
94A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Moduli MOSFET 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
Scheda dati
96A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Moduli MOSFET 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
Scheda dati
96A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
onsemi NXV08H400XT1
onsemi Moduli MOSFET APM17-MDC MV7 80V ALN
Scheda dati
34A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si NXV08H400XT1 Tube
SemiQ Moduli MOSFET SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
Scheda dati
35A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 27 A 77 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 119 W GCMX Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Moduli MOSFET 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material
Scheda dati
1A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si 62 mm C-Series Tray
onsemi Moduli MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
Scheda dati
8A magazzino
2804/03/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 900 V 154 A 14 mOhms - 8 V, + 18 V - 40 C + 150 C 328 W NXH010P90MNF1 Tray
onsemi Moduli MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
Scheda dati
28A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P90MNF1 Tray
Microchip Technology Moduli MOSFET PM-MOSFET-5-SOT227
Scheda dati
51A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 142 A 11 mOhms - 30 V, + 30 V 2 V - 55 C + 150 C 450 W Tube
Microchip Technology Moduli MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm SOT-227
Scheda dati
79A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 84 A 31 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V - 55 C + 175 C 321 W Tube
Microchip Technology Moduli MOSFET PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6LI
Scheda dati
2A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module 1.7 kV 676 A 2.9 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 3 kW
Infineon Technologies Moduli MOSFET EASY PACK SIC
Scheda dati
47A magazzino
4814/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit - 10 V, + 20 V - 40 C + 150 C CoolSiC Module Tray
IXYS Moduli MOSFET 500V 100A
Scheda dati
354A magazzino
30025/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 90 A 49 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 1.04 mW IXFN100N50 Tube
IXYS Moduli MOSFET 650V/78A miniBLOC SOT-227
Scheda dati
150A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 78 A 30 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 595 W 650V Ultra Junction X2 Tube