GT30J121(Q)

Name: Toshiba GT30J121(Q)
Brand: Toshiba
SKU: 757-GT30J121(Q)
Price: 3.65 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-GT30J121(Q)

N. produttore:

GT30J121(Q)

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

IGBTs 600V/30A DIS

Scheda dati:

GT30J121(Q) Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,65 €	3,65 €
	2,41 €	24,10 €
	1,69 €	169,00 €
	1,39 €	695,00 €
	1,37 €	1.370,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-3P-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	600 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	2 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	30 A
Pd - Dissipazione di potenza:	170 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Serie:	GT30J121
Confezione:	Tube
Marchio:	Toshiba
Corrente continua di collettore Ic max:	30 A
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	100
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	6,756 g