STMicroelectronics IGBTs

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Package/involucro Stile di montaggio Configurazione Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione di saturazione collettore-emettitore Tensione gate-emettitore massima Collettore a corrente continua a 25 °C Pd - Dissipazione di potenza Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Serie Qualifica Confezione
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
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Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40V60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 180 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss in a TO-247 long leads Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
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Si - 20 V, 20 V STGWA30M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 1250V 25A trench gte field-stop IGBT Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
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Si TO-3P-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.65 V - 20 V, 20 V 60 A 375 W - 55 C + 175 C STGWT28IH125DF Tube