STGWA20M65DF2

STMicroelectronics
511-STGWA20M65DF2
STGWA20M65DF2

Produttore:

Descrizione:
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead

Ciclo di vita:
NRND:
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1,15 € 3.450,00 €
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: IGBTs
RoHS::  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
40 A
166 W
- 55 C
+ 175 C
HB2
Tube
Marchio: STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max: 40 A
Corrente di perdita gate-emettitore: 250 uA
Tipo di prodotto: IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica: 600
Sottocategoria: IGBTs
Peso unità: 6 g
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

650V IH Series IGBTs

STMicroelectronics 650V IH Series IGBTs offer high efficiency for induction heating systems and soft switching applications. The STMicroelectronics IGBTs belong to the STPOWER™ family that exceeds the HB series, currently used for induction heating applications. The 650V IH series ensures increased efficiency in final applications thanks to a lower VCE(sat)  combined with very low turn-off energy. 40A and 50A devices are already available in TO-247 Long Leads packages, and 20A and 30A devices are being developed.