Soluzione termostato discreto

La soluzione a termostato discreto Toshiba fornisce una soluzione con una maggiore affidabilità e prestazioni in un ingombro più ridotto. Con l'accelerazione della domanda di soluzioni a risparmio energetico e l'aumento del numero di dispositivi smart home, stimoleranno una crescita significativa per i termostati intelligenti. Il risparmio energetico efficiente, il controllo intelligente e la riduzione del costo energetico per unità sono alcuni dei parametri di fondo che guideranno il settore nel suo progresso. Per aumentare la funzionalità e le prestazioni di questi dispositivi, è ’essenziale ridurre il consumo di energia e i requisiti di spazio, oltre a migliorare la vita operativa. Toshiba offre prodotti che soddisfano questi importanti requisiti e altro ancora. Con le tecnologie LDO e i relè fotografici più recenti, che hanno riscosso grande successo nei termostati e in altri progetti simili.

Risultati: 9
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale Confezione
Toshiba MOSFET Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52 143.783A magazzino
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Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms - 5 V, 5 V 350 mV 1.23 nC + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 98.871A magazzino
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Low ON Resistane MOSFET 12.033A magazzino
18.00030/03/2026 previsto
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Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 25.020A magazzino
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Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Nch MOSFET 19.906A magazzino
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Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 4 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27 61A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
26.40310/04/2026 previsto
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Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 20 V 10 A 15.3 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV 29.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
140.00004/05/2026 previsto
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Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Low ON Resistane MOSFET
5.99427/03/2026 previsto
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Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel