MOSFET CoolSiC™ G2 da 440 V in carburo di silicio
I MOSFET al carburo di silicio CoolSiC ™ 440 V G2 di Infineon Technologies sono progettati per colmare il divario tra i MOSFET Si trench da 200 V e i MOSFET Si super giunzione (SJ) da 600 V. Questi MOSFET offrono un'eccezionale densità di potenza ed elevata efficienza di sistema in topologie a 2 e 3 livelli con commutazione rigida e morbida. I MOSFET CoolSiC™ presentano una tensione di blocco di 440 V, una tensione di soglia di gate di 4,5 V e una bassa dipendenza dalla temperatura di RDS(ON). Questi MOSFET combinano elevata robustezza con perdite di commutazione e resistenza in stato attivo estremamente basse. Le applicazioni tipiche includono l'alimentazione per l'intelligenza artificiale (AI), gli SMPS ad alta potenza per server, data center e raddrizzatori per telecomunicazioni.
