MOSFET a canale N PSMN1R9 e PSMN2R3

I MOSFET a canale N PSMN1R9 E PSMN2R3 di Nexperia sono progettati per prestazioni e affidabilità elevate. I dispositivi PSMN di Nexperia fanno parte della linea di MOSFET (ASFET) specifici per applicazioni di Nexperia. I MOSFET sono progettati specificamente per applicazioni hot-swap e soft-start e sono qualificati per funzionare a una temperatura fino a 175 °C. I dispositivi vantano un basso RDSon e prestazioni dell'area operativa sicura potenziate, caratteristica che li rende la scelta ideale per applicazioni di risparmio energetico esigenti. Il package LFPAK88 con clip in rame MOSFET fornisce alta affidabilità ed è sufficientemente robusto per gestire correnti di spunto effettive durante l'accensione. Con un basso RDSon e un'efficienza ottimizzata, i PSMN1R9 e PSMN2R3 sono soluzioni stabili per i sistemi di gestione dell'energia.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Nexperia MOSFET SOT1235 N-CH 80V 286A 3.853A magazzino
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Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT SOT-1235-4 N-Channel 1 Channel 80 V 286 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 155 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1235 100V 255A N-CH MOSFET
15.782In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT SOT-1235-4 N-Channel 1 Channel 100 V 255 A 2.28 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 161 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel