Risultati: 7
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Collettore a corrente continua a 25 °C
Corrente di perdita gate-emettitore
Package/involucro
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
Infineon Technologies Moduli IGBT 1700 V, 600 A dual IGBT module
Scheda dati
24A magazzino
816/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PEHPSA1
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module
Scheda dati
32A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PHPSA1
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module
Scheda dati
32A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Scheda dati
3216/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
Scheda dati
3203/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Scheda dati
3216/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 62 mm C-Series module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode
Scheda dati
30In ordine
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA Module - 40 C + 175 C Tray