EPC Semiconduttori

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Qtà RoHS
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
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2.500A magazzino
Min: 1
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Nastrati: 2.500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Scheda dati
4.990A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

EPC Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione 100 V, 40 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2302
Scheda dati
6A magazzino
431/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Scheda dati
20.00008/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Scheda dati
30.00008/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
Scheda dati
15.00020/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Scheda dati
15.00008/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
Scheda dati
15.00008/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

EPC Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Half-Bridge Development Board, 100V/3A
Scheda dati
1031/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
Scheda dati
7.50020/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3
Scheda dati
3.00008/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
Scheda dati
4.99808/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

EPC GaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Scheda dati
2.50008/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Scheda dati
2.50020/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
Scheda dati
7.50020/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Scheda dati
12.50020/04/2026 previsto
Min: 1
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Nastrati: 2.500

EPC Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Half-Bridge Development Board, 80V/10A
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Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 40
Mult.: 1

EPC Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Half-Bridge Development Board, 350V/4A
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Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 40
Mult.: 1

EPC Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Half-Bridge Development Board, 80V/40A
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 40
Mult.: 1

EPC Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Half-Bridge Development Board, 100V/25A
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 40
Mult.: 1

EPC Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Half-Bridge Development Board, 200V/8A
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 40
Mult.: 1

EPC Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Half-Bridge Development Board, 40V/25A
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 40
Mult.: 1

EPC Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Half-Bridge Development Board, 100V/45A
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 40
Mult.: 1

EPC Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Half-Bridge Development Board, 80V/25A
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 40
Mult.: 1

EPC Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Half-Bridge Development Board, 100V/5A
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Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 40
Mult.: 1