EPC Semiconduttori

GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm

Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione 100 V, 22 A Half-Bridge Development Board Using EPC23102 GaN ePower Stage IC

GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN

Driver di porta EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage

GaN FETs EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN

GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione 200 V, 30 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2304

Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione 48 V/54 V Input to 12 V, 50 A Output Dual-Phase Synchronous Buck Converter Reference Design Board

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0

GaN FETs eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA

GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN