STMicroelectronics MOSFET

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale Confezione
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in 1.000A magazzino
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package 883A magazzino
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 280 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 16.8 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package 464A magazzino
1.00023/03/2026 previsto
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 15 A 330 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 29.7 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 128 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 35 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel