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STB33N60DM6

Name: STMicroelectronics STB33N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB33N60DM6
Price: 1.56 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-STB33N60DM6

N. produttore:

STB33N60DM6

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

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Scheda dati:

STB33N60DM6 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	25 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	128 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.25 V
Qg - Carica del gate:	35 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	190 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Reel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	35 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	9 ns
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	7 ns
Tipico ritardo di accensione:	14 ns
Peso unità:	1,380 g