MRF1K50N Serie Transistor RF MOSFET

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Polarità transistor
Tecnologia
Id - corrente di drain continua
Vds - Tensione di rottura drain-source
Frequenza di lavoro
Guadagno
Potenza di uscita
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Stile di montaggio
Package/involucro
Confezione
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Scheda dati
41A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistor RF MOSFET Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
Min: 50
Mult.: 50
Nastrati: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel